卧龙岗大学郭再萍《AFM》操纵表面电荷构建层状

大横向尺寸的二维材料由于其高比表面积、奇特的电子结构和迷人的物理化学性质引起了人们极大的研究兴趣。迄今为止，大量的二维纳米材料，如氧化物、金属，特别是二维金属硫化物，引起了人们的极大关注。然而，这些二维纳米结构的优化制备和可行的可加工性一直是其设备相关应用的先决条件。

澳大利亚奥龙岗大学郭再平等研究人员提出了表面电荷控制策略。通过控制等电点制备微米级二维非层状金属硫化物，该策略可以轻松调整晶核生长过程中表面电荷的排列。这种策略的结果是材料在优选方向上完全组装，但在保持原子厚度的同时包括大的横向尺寸。本文成功合成了一系列改性硫化物，证明它们的微观结构发生了预期的变化。然后，其中一种材料 In4SnS8 通过其结构完整性、增强的转移动力学和丰富的活性位点，成为近钠存储的有前途的候选材料。本文提出的合成方案可为探索二维非层状材料的能量相关应用提供新的启示。相关论文发表在 Advanced Functional Materials 上。

论文链接：

src="http://p0.qhimg.com/t0151dc5e4fba813e8c.jpg?size=640x223"/>

这个文章提出了一种由表面电荷调控策略驱动的二维超薄非层状硫化物可控合成方法。通过对反应机理的对比研究，进一步揭示了通过控制反应过程中氨基酸的等电点可以控制晶体的生长和自组装行为。可以选择各种具有特定官能团的氨基酸（如硒代半胱氨酸中的硒基团）作为模板合成其他二维非层状材料，但必须先计算氨基酸的等电点。更令人印象深刻的是，这种结构良好的新型2D/2D In4SnS8@Gr异质结材料因其优异的电化学性能、高可逆容量、优异的循环稳定性和优异的高倍率性能而被评为SIBs的下一代负极材料。 .

此外，电化学动力学分析清楚地揭示了In4SnS8@G电极中钠离子存储的电容控制机制，可以极大地促进钠离子的嵌入/脱层过程。值得注意的是，本文开发的表面电荷操纵策略可能为超薄非层状晶体和异质结构的受控制造开辟了可能性，从而指导了各种潜在的应用。 （文字：SSC）